三安集成出席半導體先進技術(shù)大會展示鍵合濾波器晶圓及封裝制程

蘇州2024年5月23日 /美通社/ -- 2024年5月22日，由雅時國際（ACT International）主辦的2024半導體先進技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機遇大會（SAT Con）于蘇州召開，會議將針對化合物半導體制造與封裝等話題展開產(chǎn)業(yè)高端對話。三安集成作為射頻前端芯片研發(fā)、制造和服務(wù)平臺，具備豐富的濾波器芯片制造與封裝經(jīng)驗，受邀與會并做主題報告。

現(xiàn)代通信技術(shù)的進步是推動半導體先進技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的重要推力之一。國際通信協(xié)議Release-18即將凍結(jié)，對于5G和5.5G的定義也愈發(fā)明確，在年初召開的MWC Barcelona大會上，各大運營商、設(shè)備商和終端品牌均展示了各自在5G/5.5G領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，對射頻前端架構(gòu)和射頻前端芯片和性能提出了更高的要求。

根據(jù)國際咨詢機構(gòu)Yole的報告數(shù)據(jù)，在智能手機總數(shù)增長保守的情況下，射頻前端芯片的市場容量將在2028年增長到近200億元，其中增長的重要助力即是射頻前端模組。高端旗艦機型的射頻前端模組要求在多元而復雜的場景下保持穩(wěn)定通信；而入門機型則要求剝離冗余性能，采用更具性價比、更精準的解決方案。三安集成對此表示，在模組化的大趨勢中，存在著往兩級分化的發(fā)展方向，三安集成所提供的射頻前端整合解決方案能力，能夠全面覆蓋客戶在不同應(yīng)用場景下的需求。

三安集成的射頻前端整合解決方案主要由砷化鎵/氮化鎵功放代工服務(wù)、濾波器產(chǎn)品，以及封測代工組成，在本次會議上針對濾波器晶圓制造和封裝制程做了詳細展開介紹。三安集成根據(jù)客戶和市場需求選擇了聲表面濾波器（SAW）的技術(shù)路線并投入研發(fā)，在開發(fā)壓電材料和鍵合襯底的基礎(chǔ)上，發(fā)展了高性能的溫度補償型濾波器（TC-SAW），在優(yōu)化生產(chǎn)結(jié)構(gòu)的同時，產(chǎn)品也能提供優(yōu)異的插損和滿足5G/5.5G應(yīng)用的功率耐受表現(xiàn)。在封裝制程方面，三安集成持續(xù)投入先進封裝的開發(fā)，目前已推出小型化濾波器(Tx/Rx)和雙工器(DPX)平臺，晶圓級封裝(WLP)濾波器芯片也在客戶射頻前端模組端量產(chǎn)出貨。

三安集成出席半導體先進技術(shù)大會展示鍵合濾波器晶圓及封裝制程

三安集成市場產(chǎn)品經(jīng)理張昊廷表示，三安集成將借助材料端的研發(fā)經(jīng)驗，持續(xù)發(fā)揮垂直整合優(yōu)勢，提供端到端的解決方案能力；通過大規(guī)模制造的效應(yīng)，幫助客戶快速響應(yīng)市場需求，迭代產(chǎn)品，占領(lǐng)市場先機。

同場會議中，湖南三安半導體作為碳化硅垂直整合制造服務(wù)平臺，為在場觀眾呈現(xiàn)"SiC功率器件的關(guān)鍵技術(shù)與標準建設(shè)"專題報告，介紹了碳化硅功率芯片的制程及行業(yè)標準定義。